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Vedi Specifiche Tecniche

KSC1008OBU +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

KSC1008OBU
Scheda dati:

KSC1008OBU Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

400mV @ 50mA, 500mA
EDA/CAD Modelli:

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KSC1008OBU Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 700 mA 50MHz 800 mW Through Hole TO-92-3

Caratteristiche principali

Low Frequency amplifier medium speed switching
High Collector-Base Voltage : V_CBO=80V
Collector Current : I_C =700mA
Collector Power Dissipation : P_C=800mW
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
NonSuffix “-C” means Side Collector (1. Emitter 2. Base 3. Collector)
Complement to KSA708

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	700 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 50mA, 500mA	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 50mA, 2V	Power - Max	800 mW
Frequency - Transition	50MHz	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	KSC1008

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