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JANTX2N3637 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 175 V 1 A 1 W Through Hole TO-5

Produttore:

Microchip
ProduttorePart #:

JANTX2N3637
Scheda dati:

JANTX2N3637 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

175 V
EDA/CAD Modelli:

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JANTX2N3637 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 175 V 1 A 1 W Through Hole TO-5

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	175 V	Collector- Base Voltage VCBO	175 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	1 W
Gain Bandwidth Product fT	-	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Technology	Si

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