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JAN2N2222A +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA 500 mW Through Hole TO-218

JAN2N2222A Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA 500 mW Through Hole TO-218

Specifiche

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
Case Connection COLLECTOR Collector Current-Max (IC) 0.8 A
Collector-Emitter Voltage-Max 50 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 30 JEDEC-95 Code TO-206AA
JESD-30 Code O-MBCY-W3 JESD-609 Code e0
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 200 °C Operating Temperature-Min -65 °C
Polarity/Channel Type NPN Qualification Status Qualified
Reference Standard MIL-19500/255 Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD Terminal Form WIRE
Terminal Position BOTTOM Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Turn-off Time-Max (toff) 300 ns
Turn-on Time-Max (ton) 35 ns

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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