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ISL6612AECB +BOM

Fast Switching Time Reduces Power Loss and Heat Generatio

Produttore:

Renesas Electronics
ProduttorePart #:

ISL6612AECB
Scheda dati:

ISL6612AECB Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Minimum Operating Temperature:

0 C
Maximum Operating Temperature:

+ 85 C
EDA/CAD Modelli:

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ISL6612AECB Descrizione generale

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Minimum Operating Temperature	0 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Pd - Power Dissipation	2 W
Fall Time	18 ns	Height	1.55 mm
Length	4.98 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	26 ns (Typ)	Subcategory	MOSFETs
Width	3.99 mm	Unit Weight	0.002610 oz

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