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ISL6612ACR +BOM

Efficient Energy Conversion in Compact Packag

ISL6612ACR Descrizione generale

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-DFN (3x3)

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Minimum Operating Temperature 0 C
Maximum Operating Temperature + 85 C Pd - Power Dissipation 1.5 W
Fall Time 18 ns Height 1 mm
Length 3 mm Product Type MOSFET
Rise Time 26 ns (Typ) Subcategory MOSFETs
Width 3 mm

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