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Vedi Specifiche Tecniche

IRFS7530-7PPBF +BOM

MOSFET Silicon N-channel 60V 338A 7-terminal (6+Tab) D2PAK Package

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IRFS7530-7PPBF
Scheda dati:

IRFS7530-7PPBF Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRFS7530-7PPBF Descrizione generale

N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)

Caratteristiche principali

Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 400V
Low RDS(ON) : 0.254 Ω(Typ.)

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	338 A	Rds On - Drain-Source Resistance	1.15 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.7 V
Qg - Gate Charge	354 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	375 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	StrongIRFET
Configuration	Single	Fall Time	79 ns
Forward Transconductance - Min	249 S	Height	4.4 mm
Length	10 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	102 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	168 ns	Typical Turn-On Delay Time	24 ns
Width	9.25 mm	Part # Aliases	SP001565236
Unit Weight	0.056438 oz

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