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IPB026N06N +BOM

MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IPB026N06N
Scheda dati:

IPB026N06N Scheda dati (PDF)
IDpuls max:

400.0 A
Ptot max:

136.0 W
VDS max:

60.0 V
Polarity:

N
EDA/CAD Modelli:

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IPB026N06N Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3/2 PIN

Specifiche

IDpuls max	400.0 A	Ptot max	136.0 W
VDS max	60.0 V	Polarity	N
RDS (on) max	2.6 mΩ	ID max	100.0 A
VGS(th) max	3.3 V	VGS(th) min	2.1 V
Operating Temperature max	175.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C
Battery voltage	24-36 V

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..