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IPA90R500C3 +BOM

Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

IPA90R500C3 Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

Specifiche

Source Content uid IPA90R500C3 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Pin Count 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95 Avalanche Energy Rating (Eas) 388 mJ
Case Connection ISOLATED Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 900 V Drain Current-Max (ID) 11 A
Drain-source On Resistance-Max 0.5 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 34 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 24 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

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