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IHW30N100T +BOM
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1000V 30A
TO-247-3-
Produttore:
Infineon Technologies
-
ProduttorePart #:
IHW30N100T
-
Scheda dati:
-
Series:
TrenchStop®
-
IGBT Type:
Trench Field Stop
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
1000 V
-
Current - Collector (Ic) (Max):
60 A
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 6757 PZ
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IHW30N100T Descrizione generale
IGBT Trench Field Stop 1000 V 60 A 412 W Through Hole PG-TO247-3-1
Caratteristiche principali
- 1.1V Forward voltage of antiparallel rectifier diode
- Specified for TJmax = 175°C
- TrenchStop® and Fieldstop technology for 1000 V applications
- offers :
- - very tight parameter distribution
- - high ruggedness, temperature stable behavior
- - easy parallel switching capability due to positive
- temperature coefficient in VCE(sat)
- Low EMI
- Qualified according to JEDEC1 for target applications
- Application specific optimisation of inverse diode
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
Specifiche
Series | TrenchStop® | IGBT Type | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 30A |
Power - Max | 412 W | Switching Energy | 1.6mJ (off) |
Input Type | Standard | Gate Charge | 217 nC |
Td (on/off) @ 25°C | 35ns/546ns | Test Condition | 600V, 30A, 15Ohm, 15V |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Politiche di servizio e altro
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In Stock: 6.757
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