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IGP06N60T +BOM

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A

IGP06N60T Descrizione generale

Hard-switching 600 V, 6 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

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