Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

IGD15N65T6ARMA1 +BOM

IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 100 W Surface Mount PG-TO252-3

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IGD15N65T6ARMA1
Scheda dati:

IGD15N65T6ARMA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IGD15N65T6ARMA1

IGD15N65T6ARMA1 Descrizione generale

IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 100 W Surface Mount PG-TO252-3

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	30 A
Pd - Power Dissipation	100 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	IGBT 6
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	IGBTs	Tradename	TRENCHSTOP
Part # Aliases	IGD15N65T6 SP004275482

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..