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IDH04SG60CXKSA2 +BOM

Diode 600 V 4A Through Hole PG-TO220-2-1

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IDH04SG60CXKSA2
Scheda dati:

IDH04SG60CXKSA2 Scheda dati (PDF)
Series:

CoolSiC™+
Technology:

SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

600 V
Current - Average Rectified (Io):

4A

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

IDH04SG60CXKSA2 Descrizione generale

Diode 600 V 4A Through Hole PG-TO220-2-1

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Benchmark switching behavior
No reverse recovery charge
Temperature independent switching behavior
High operating temperature (T
j
System efficiency improvement compared to Si
diodes
Reduced cooling requirements
Enabling higher frequency/increased power
density
Higher system reliability due to lower operating
temperature
Reduced EMI

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes	Series	CoolSiC™+
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Current - Average Rectified (Io)	4A	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2.3 V @ 4 A
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)	Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	25 µA @ 600 V	Capacitance @ Vr, F	80pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole	Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Base Product Number	IDH04SG60	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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