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GT8Q101 +BOM

IGBT Transistors Pb 3PN IGBT PP1,DISCON(03-04)/PHASE-OUT(04-07)/OBSOLETE(04-10),DISCON-->2006-07-31,PHASEOUT-->2006-09-30

Produttore:

TOSHIBA
ProduttorePart #:

GT8Q101
Scheda dati:

GT8Q101 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
EDA/CAD Modelli:

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GT8Q101 Descrizione generale

IGBT Transistors Pb 3PN IGBT PP1,DISCON(03-04)/PHASE-OUT(04-07)/OBSOLETE(04-10),DISCON-->2006-07-31,PHASEOUT-->2006-09-30

Caratteristiche principali

Specifiche

Source Content uid	GT8Q101	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	3	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.95
Additional Feature	HIGH SPEED	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	8 A	Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V
Configuration	SINGLE	Fall Time-Max (tf)	500 ns
Gate-Emitter Thr Voltage-Max	6 V	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max	100 W	Power Dissipation-Max (Abs)	150 W
Qualification Status	Not Qualified	Rise Time-Max (tr)	600 ns
Surface Mount	NO	Terminal Finish	Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	MOTOR CONTROL	Transistor Element Material	SILICON
VCEsat-Max	4 V

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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Spedizione e imballaggio

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..