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GT25Q301 +BOM

25A Insulated Gate BIP Transistor

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

GT25Q301
Scheda dati:

GT25Q301 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelli:

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GT25Q301 Descrizione generale

Elevate your design with the GT25Q301, a high-performance MOSFET gate driver that delivers unmatched speed and efficiency. Whether you're working on DC-DC converters, motor drives, or Class D amplifiers, this gate driver offers exceptional peak output current and adjustable dead time control for optimized switching performance. The inclusion of built-in protection features such as undervoltage lockout, overcurrent protection, and thermal shutdown ensures the longevity and reliability of your system. Compact yet powerful, the GT25Q301 is the ideal choice for driving power MOSFETs in challenging applications, providing engineers with a reliable solution to enhance overall system performance

Caratteristiche principali

The GT25Q301 is a 4-Mbit flash memory that operates at a wide temperature range
It features a quad SPI interface for high-speed data transfer, offering low-power consumption and flexible erase/program functions

Applicazione

Automotive system integration
Low energy consumption
Enhanced reliability features

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	GT25Q301	Continuous Collector Current Ic Max	25 A
Height	26 mm	Length	20.5 mm
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs
Width	5.2 mm

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