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FZT851TA +BOM

The transistor is housed in a SOT223 package and has a VCEO rating of 60V

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

FZT851TA
Scheda dati:

FZT851TA Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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FZT851TA Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3

Caratteristiche principali

BVCEO> 60V
IC = 6A High Continuous Collector Current
ICM = 20A Peak Pulse Current
Low Saturation Voltage VCE(sat) <100mV @ 1A
RCE(sat) = 44mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
hFE Specified Up to 10A for a High Gain Hold Up
Complementary PNP Type: FZT951
Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable (Note 4)

Specifiche

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	34 Weeks	Application	SWITCHING
Case Connection	COLLECTOR	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	100	JESD-30 Code	R-PDSO-G4
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	4	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	NPN	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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