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Vedi Specifiche Tecniche

FJP5304D

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FJP5304D
Scheda dati:

FJP5304D Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.5V @ 500mA, 2.5A
EDA/CAD Modelli:

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FJP5304D Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 70 W Through Hole TO-220-3

Caratteristiche principali

Wide Safe Operating Area
Built-in Free-Wheeling Diode
Suitable for Electronic Ballast Application
Small Variance in Storage Time

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	4 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 500mA, 2.5A	Current - Collector Cutoff (Max)	250mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	8 @ 2A, 5V	Power - Max	70 W
Frequency - Transition	-	Operating Temperature	-
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	FJP530

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