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IGBT, 1200 V, 40 A Field Stop Trench
TO-247-3Produttore:
ProduttorePart #:
FGY40T120SMD
Scheda dati:
REACH:
Details
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
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The FGY40T120SMD is engineered to meet the highest standards in power electronic devices, providing superior performance and durability. Its innovative design ensures optimal performance in challenging environments, making it a reliable solution for critical applications where efficiency and performance are crucial
Product Category | IGBT Transistors | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 25 V, 25 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 80 A | Pd - Power Dissipation | 882 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Series | FGY40T120SMD | Continuous Collector Current Ic Max | 40 A |
Gate-Emitter Leakage Current | +/- 400 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
Unit Weight | 0.269105 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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