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Vedi Specifiche Tecniche

DTC114TKAT146 +BOM

Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGIT NPN 50V 100MA

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

DTC114TKAT146
Scheda dati:

DTC114TKAT146 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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DTC114TKAT146 Descrizione generale

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SMT3

Caratteristiche principali

1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit

without connecting external input resistors (see equivalent circuit).

2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow

negative biasing of the input. They also have the advantage

of almost completely eliminating parasitic effects.

3) Only the on/off conditions need to be set for operation,

making the device design easy.

Applicazione

Inverter, Interface, Driver

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.21.00.75
Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day	Additional Feature	BUILT-IN BIAS RESISTOR
Collector Current-Max (IC)	0.1 A	Collector-Emitter Voltage-Max	50 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	DC Current Gain-Min (hFE)	100
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e1
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation Ambient-Max	0.2 W	Power Dissipation-Max (Abs)	0.2 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	10
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	250 MHz	VCEsat-Max	0.3 V

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