Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

DSS4240T +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Produttore:

DIODES
ProduttorePart #:

DSS4240T
Scheda dati:

DSS4240T Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

320mV @ 200mA, 2A
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per DSS4240T

Caratteristiche principali

BVCEO> 40V
IC = 2A High Continuous Collector Current
ICM = 3A Peak Pulse Current
Low Saturation Voltage 180mV Max @ IC = 1A
RCE(SAT) = 60mΩ at 0.5A for a Low Equivalent On-Resistance
730mW Power Dissipation
Complimentary PNP Type: DSS5240T
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	320mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 1A, 2V
Power - Max	600 mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	DSS4240

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..