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DS1265Y-70+ +BOM

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mbit Parallel 70 ns 36-EDIP

DS1265Y-70+ Descrizione generale

The DS1265 8M Nonvolatile SRAMs are 8,388,608-bit, fully static nonvolatile SRAMs organized as 1,048,576 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. There is no limit on the number of write cycles which can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.

Maxim Integrated inventario

Caratteristiche principali

  • 10 years minimum data retention in the absence of external power
  • Data is automatically protected during power loss
  • Unlimited write cycles
  • Low-power CMOS operation
  • Read and write access times of 70ns
  • Lithium energy source is electrically disconnected to retain freshness until power is applied for the first time
  • Full ±10% VCC operating range (DS1265Y)
  • Optional ±5% VCC operating range (DS1265AB)
  • Optional industrial temperature range of -40°C to +85°C, designated IND

Specifiche

model DS1265Y-70+ packingQty Tube,9
packingOption Tube lifeCycle production
tempRange 0 to 70C
DS1265AB, DS1265Y: Pin Assignment

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200+ $55,521 $11.104,20
500+ $53,570 $26.785,00
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