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DS1249Y-70 +BOM

Erasable, programmable read-only memory for diverse industrial uses

DS1249Y-70 Descrizione generale

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mbit Parallel 70 ns 32-EDIP

Analog Devices, Inc inventario

Caratteristiche principali

  • 10 years minimum data retention in the absence of external power
  • Data is automatically protected during power loss
  • Unlimited write cycles
  • Low-power CMOS operation
  • Read and write access times of 70ns
  • Lithium energy source is electrically disconnected to retain freshness until power is applied for the first time
  • Full ±10% V
  • CC
  • Optional ±5% V
  • CC
  • Optional industrial temperature range of -40°C to +85°C; designated IND
  • JEDEC standard 32-pin DIP package
Analog Devices, Inc Stock originale
Analog Devices, Inc inventario

Specifiche

Category Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory Series -
Memory Type Non-Volatile Memory Format NVSRAM
Technology NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size 2Mbit
Memory Organization 256K x 8 Memory Interface Parallel
Write Cycle Time - Word, Page 70ns Access Time 70 ns
Voltage - Supply 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Through Hole Base Product Number DS1249Y
DS1249AB, DS1249Y: Pin Assignment

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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