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CSD16415Q5 +BOM

Power-efficient 3.2W VSON-8(5x6) MOSFET

Produttore:

Texas Instruments
ProduttorePart #:

CSD16415Q5
Scheda dati:

CSD16415Q5 Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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CSD16415Q5 Descrizione generale

N-Channel 25 V 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)

Caratteristiche principali

Features for the CSD16415Q5

Ultralow Q_g and Q_gd
Very Low On-Resistance
Low Thermal Resistance
Avalanche Rated
Pb-Free Terminal Plating
RoHS Compliant
Halogen-Free

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	25 V	Id - Continuous Drain Current	100 A
Rds On - Drain-Source Resistance	1.5 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 16 V, + 16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V	Qg - Gate Charge	21 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	3.2 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	NexFET	Series	CSD16415Q5
Configuration	Single	Fall Time	12.7 ns
Forward Transconductance - Min	168 S	Height	1 mm
Length	6 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	30 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns	Typical Turn-On Delay Time	16.6 ns
Width	5 mm	Unit Weight	0.004550 oz

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