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IGBT Module featuring Single Transistor, 1.2kV Max Voltage, 600A Current Rating, Screw Mount
MODULEProduttore:
ProduttorePart #:
CM600HB-24A
Scheda dati:
Product:
IGBT Silicon Modules
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:
2.1 V
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The CM600HB-24A power semiconductor module from Mitsubishi Electric is a cutting-edge electronic component designed for high-power applications. Boasting a voltage rating of 1200V and a current rating of 600A, this module is built to handle intense power demands with ease. Its compact and lightweight design makes it a versatile choice for power conversion systems, motor drives, and industrial equipment
Product Category: | IGBT Modules | Product: | IGBT Silicon Modules |
Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V | Continuous Collector Current at 25 C: | 600 A |
Gate-Emitter Leakage Current: | 1.5 uA | Pd - Power Dissipation: | 3670 W |
Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Packaging: | Bulk | Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Mounting Style: | SMD/SMT | Product Type: | IGBT Modules |
Series: | CM600 | Factory Pack Quantity: | 10 |
Subcategory: | IGBTs | Technology: | Si |
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PS21A79
POWEREX
IPM Transistor for Power Applications
CP25TD1-24A
Powerex, Inc
N-channel IGBT module with 1200V and 25A rating
PS21A7A
POWEREX
Capable of handling a power output of 5.5kW at 220VAC
CP15TD1-24A
Powerex, Inc
Reliable power management for a wide range of applications
QIS4506001
Powerex, Inc
IGBT MOD SINGLE 4500V 60A
Instead of the voltage regulator received a temperature controller. For inattention three points.