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CGHV59070F-AMP +BOM

Wideband power amplifier module with high efficiency and reliability, suitable for microwave and millimeter-wave application

Produttore:

Macom
ProduttorePart #:

CGHV59070F-AMP
Scheda dati:

CGHV59070F-AMP Scheda dati (PDF)
Shipping Restrictions:

This product may require additional documentation to export from the United States.
Transistor Type:

HEMT
Technology:

GaN
Operating Frequency:

4.4 GHz to 5.9 GHz

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

CGHV59070F-AMP Descrizione generale

- CGHV59070F HEMT 5.2GHz ~ 5.9GHz Evaluation Board

Specifiche

Product Category	RF JFET Transistors	Shipping Restrictions	This product may require additional documentation to export from the United States.
Transistor Type	HEMT	Technology	GaN
Operating Frequency	4.4 GHz to 5.9 GHz	Gain	14 dB
Transistor Polarity	N-Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	150 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 10 V, 2 V	Id - Continuous Drain Current	6.3 A
Output Power	70 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	57 W
Mounting Style	Flange Mount	Application	Radar
Product Type	RF JFET Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 2.8 V

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..