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BSS84DW-7-F +BOM

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 50V 130mA 6-Pin SOT-363 T/R

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

BSS84DW-7-F
Scheda dati:

BSS84DW-7-F Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

6
Reach Compliance Code:

compliant

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

BSS84DW-7-F Descrizione generale

The BSS84DW-7-F MOSFET P-channel transistor is a high-quality electronic component suitable for a wide range of circuit designs. With its dual P-channel configuration, it offers a low on-resistance (Rds(on)) of 6ohm and a maximum continuous drain current of -130mA. The transistor has a drain-source voltage rating of -50V and operates effectively within a temperature range of -55°C to +150°C. Its SOT-363 package and surface mount termination make it easy to integrate into various electronic systems, ensuring reliable performance

Caratteristiche principali

Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	6	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.21.00.95
Factory Lead Time	78 Weeks	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	50 V	Drain Current-Max (ID)	0.13 A
Drain-source On Resistance-Max	10 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	12 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-G6
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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