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BSS123W-7-F +BOM

X7R 0805 Surface Mount Multilayer Ceramic Capacitor, 0.22 uF, 50 V, ±10 % Tolerance

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

BSS123W-7-F
Scheda dati:

BSS123W-7-F Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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BSS123W-7-F Descrizione generale

The BSS123W-7-F is a MOSFET transistor designed for N-channel applications with a Continuous Drain Current (Id) of 170mA and a Drain Source Voltage (Vds) of 100V. With an On Resistance (Rds(on)) of 6ohm and a test voltage of 10V, this transistor offers efficient performance for various electronic circuits. The Threshold Voltage (Vgs) is rated at 1.4V, ensuring reliable operation within specified parameters

Caratteristiche principali

Ultra-low quiescent current
High accuracy and stability
Wide operating temperature range
Low noise and electromagnetic interference

Applicazione

RF switching in wireless networks
Current sensing in motor drives
Display control in consumer electronics

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	170 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	800 mV
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	200 mW	Channel Mode	Enhancement
Series	BSS123W	Configuration	Single
Fall Time	8 ns	Forward Transconductance - Min	0.08 S, 0.37 S
Height	1 mm	Length	2.2 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	8 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	Enhancement Mode Field Effect Transistor	Typical Turn-Off Delay Time	13 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	1.35 mm
Unit Weight	0.000212 oz

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