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BSP52T1G +BOM

NPN Bipolar Darlington Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

BSP52T1G
Scheda dati:

BSP52T1G Scheda dati (PDF)
Case Outline:

0.0318
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelli:

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BSP52T1G Descrizione generale

In conclusion, the BSP52T1G NPN Bipolar Darlington Transistor is a top-notch electronic component that delivers exceptional performance in switching applications. Its versatile design, compact package, and reliable operation make it an excellent choice for various industrial and commercial projects. Trust the BSP52T1G transistor to provide the power and efficiency you need for your next electronic project

Caratteristiche principali

High-reliability components with low failure rate
Suitable for use in high-vibration or high-shock environments
Meets or exceeds industry standards for reliability and performance
Designed for long-term stability and consistency

Specifiche

Status	Active	Case Outline	0.0318
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector- Base Voltage VCBO	90 V
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	800 mW
Mounting Style	SMD/SMT	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BSP52
Continuous Collector Current	1 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	1000, 2000
Height	1.57 mm	Length	6.5 mm
Product Type	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	Transistors	Width	3.5 mm
Unit Weight	0.007408 oz

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