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BQ4010YMA-85N +BOM

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 85 ns 28-DIP Module (18.42x37.72)

Produttore:

Texas Instruments, Inc
ProduttorePart #:

BQ4010YMA-85N
Scheda dati:

BQ4010YMA-85N Scheda dati (PDF)
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

NVSRAM
Technology:

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Size:

64Kbit
EDA/CAD Modelli:

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BQ4010YMA-85N Descrizione generale

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 85 ns 28-DIP Module (18.42x37.72)

Caratteristiche principali

Data Retention for at least 10 Years Without Power
Automatic Write-Protection During Power-up/Power-down Cycles
Conventional SRAM Operation, Including Unlimited Write Cycles
Internal Isolation of Battery before Power Application
5-V or 3.3-V Operation
Industry Standard 28-Pin DIP Pinout or 34-Pin LIFETIME LITHIUM™ SMD Pinout
Snap-on, Replaceable Lithium Battery for SMD Device (Device Number: bq401BATCAP)

Specifiche

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	NVSRAM
Technology	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Memory Size	64Kbit
Memory Organization	8K x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	85ns	Access Time	85 ns
Voltage - Supply	4.5V ~ 5.5V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	BQ4010

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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Spedizione e imballaggio

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