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BQ2204ASN +BOM

Advanced memory technology for efficient data processing

Produttore:

Texas Instruments, Inc
ProduttorePart #:

BQ2204ASN
Scheda dati:

BQ2204ASN Scheda dati (PDF)
Vin (max) (V):

5.5
Features:

4-Bank SRAM, CMOS, Non-volatile controller, Write-protection
Device Type:

Memory device
Operating Temperature Range (°C):

-40 to 85, 0 to 70
EDA/CAD Modelli:

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BQ2204ASN Descrizione generale

One of the key features of the BQ2204ASN is its precision comparator, which constantly monitors the input voltage for any deviations. In the event of an out-of-tolerance condition, the chip-enable outputs are automatically disabled, protecting your data from any potential damage

Caratteristiche principali

Fault-tolerant architecture for added reliability
Power-on reset circuitry ensures SRAM integrity
Sleep mode current consumption minimized
Data retention down to -40°C possible

Specifiche

Vin (max) (V)	5.5	Features	4-Bank SRAM, CMOS, Non-volatile controller, Write-protection
Device type	Memory device	Operating temperature range (°C)	-40 to 85, 0 to 70
Rating	Catalog	Communication interface	No interface
Operating current (typ) (µA)	3000

Politiche di servizio e altro

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