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BLC9H10XS-350A +BOM

Transistor optimized for radio frequency circuits, capable of handling up to 105 volts

Produttore:

Ampleon
ProduttorePart #:

BLC9H10XS-350A
Scheda dati:

BLC9H10XS-350A Scheda dati (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Configuration:

Dual Common Source
Type:

MOSFET
Channel Mode:

Enhancement
EDA/CAD Modelli:

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BLC9H10XS-350A Descrizione generale

General description350 W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base stationapplications at frequencies from 617 MHz to 960 MHz.Features and benefits Excellent ruggedness High efficiency Low thermal resistance providing excellent thermal stability Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications Designed for low memory effects providing excellent digital pre-distortion capability Internal integrated wideband input matching for ease of use Integrated ESD protection For RoHS compliance see the product details on the Ampleon websiteApplications RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 617 MHz to960 MHz frequency range

Specifiche

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
Configuration	Dual Common Source	Type	MOSFET
Channel Mode	Enhancement	Channel Type	N
Number of Elements per Chip	2	Mode of Operation	1-Carrier W-CDMA
Process Technology	LDMOS	Maximum Drain Source Voltage (V)	105
Maximum Gate Source Voltage (V)	11	Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2.5
Maximum VSWR	10	Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	140
Maximum IDSS (uA)	1.4	Maximum Drain Source Resistance (MOhm)	[email protected]
Typical Forward Transconductance (S)	9.9	Output Power (W)	415(Typ)
Typical Power Gain (dB)	18.1	Maximum Frequency (MHz)	960
Minimum Frequency (MHz)	617	Typical Drain Efficiency (%)	54
Minimum Operating Temperature (°C)	-40	Maximum Operating Temperature (°C)	125
Mounting	Surface Mount	PCB changed	5
Pin Count	5

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