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BLF178XR +BOM
RF MOSFET Transistor, N-Channel, 110V, SOT-539A, 5-Pin
SOT-539A-
Produttore:
NXP Semiconductors
-
ProduttorePart #:
BLF178XR
-
Scheda dati:
-
ECCN (US):
EAR99
-
Configuration:
Dual Common Source
-
Channel Mode:
Enhancement
-
Channel Type:
N
Disponibilità: 7423 PZ
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
Caratteristiche principali
- Typical pulsed performance at frequency of 108 MHz, a supply voltage of 50 V and an
- IDq of 40 mA, a tp of 100 μs with δ of 20 %:
- Output power = 1400 W
- Power gain = 28 dB
- Efficiency = 72 %
- Easy power control
- Integrated ESD protection
- Excellent ruggedness
- High efficiency
- Excellent thermal stability
- Designed for broadband operation (HF to 128 MHz)
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
- (RoHS)
Specifiche
ECCN (US) | EAR99 | Part Status | NRND |
Configuration | Dual Common Source | Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N | Number of Elements per Chip | 2 |
Mode of Operation | CW|Pulsed RF | Process Technology | LDMOS |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 110 | Maximum Gate Source Voltage (V) | 11 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.25 | Maximum VSWR | 65(Min) |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 280 | Maximum IDSS (uA) | 2.8 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 70(Typ)@6V | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 414@50V |
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 5.5@50V | Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 184@50V |
Output Power (W) | 1400(Typ) | Typical Power Gain (dB) | 23|28 |
Maximum Frequency (MHz) | 128 | Minimum Frequency (MHz) | 10 |
Typical Drain Efficiency (%) | 72 | Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 200 | Mounting | Screw |
PCB changed | 5 | Pin Count | 5 |
Politiche di servizio e altro
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In Stock: 7.423
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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