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BGS18MA14E6327XTSA1 +BOM

Fast and Flexible Signal Routing Devi

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

BGS18MA14E6327XTSA1
Scheda dati:

BGS18MA14E6327XTSA1 Scheda dati (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
EDA/CAD Modelli:

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BGS18MA14E6327XTSA1 Descrizione generale

MIPI 2.0 SP8T switch for LTE Rx and Tx applications up to 3.8 GHz This SP8T RF switch is a perfect solution for multimode handsets based on LTE, WCDMA and TDCDMA. It is based on Infineon’s proprietary technology and has excellent RF performance. The ultra-low insertion loss helps customers to achieve high system sensitivity, the coverage of LTE Tx power and 3.8 GHz enables very broad application. It features DC-free RF ports, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. Its on-chip MIPI RFFE 2.0 controller is fully compatible with industry standard.

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

0.1 to 3.8 GHz coverage for LTE application up to Band 43
LTE TX power handling capabilities
Ultra low insertion loss: 0.5 dB for Band 41 and 0.7 dB for Band 43
Small form factor 2.0mm x 2.0mm
Fully compatible with MIPI 2.0 RFFE standard
No decoupling capacitors required (Unless DC applied on RF lines)
Low harmonic generation
High port-to-port isolation
On-chip control logic including ESD protection
No power supply blocking required
High EMI robustness
RoHS and WEEE compliant package

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

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Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

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