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BGS18MA12E6327XTSA1 +BOM

RF Switch SP8T 100MHz to 6GHz 12dB 12-Pin ATSLP EP T/R

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

BGS18MA12E6327XTSA1
Scheda dati:

BGS18MA12E6327XTSA1 Scheda dati (PDF)
RF Type:

LTE, W-CDMA
Circuit:

SP8T
Frequency Range:

100MHz ~ 6GHz
Isolation:

26dB
EDA/CAD Modelli:

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BGS18MA12E6327XTSA1 Descrizione generale

MIPI 2.0 SP8T switch for LTE diversity, Tx and LAA applications This SP8T RF switch is a perfect solution for multimode handsets based on LTE, WCDMA and TDCDMA. It is based on Infineon’s proprietary technology and has excellent RF performance. The ultra-low insertion loss helps customers to achieve high system sensitivity, the coverage of LTE Tx power and 6 GHz enables very broad application. It features DC-free RF ports, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. Its on-chip MIPI RFFE 2.0 controller is fully compatible with industry standard.

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

0.1 to 6 GHz coverage for LTE and LAA application
LTE TX power handling capabilities
Ultra low insertion loss: 0.78 dB at Band 42
Small form factor 1.1mm x 1.9mm
Fully compatible with MIPI 2.0 RFFE standard
No decoupling capacitors required if no DC applied on RF lines
Low harmonic generation
High port-to-port isolation
On-chip control logic including ESD protection
No power supply blocking required
High EMI robustness
RoHS and WEEE compliant package

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	RF and WirelessRF Switches	Series	-
RF Type	LTE, W-CDMA	Topology	-
Circuit	SP8T	Frequency Range	100MHz ~ 6GHz
Isolation	26dB	Insertion Loss	1.2dB
Test Frequency	6GHz	P1dB	-
IIP3	-	Features	DC Blocked
Impedance	50Ohm	Voltage - Supply	1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C	Base Product Number	BGS18MA12
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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