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APT60M75JVR +BOM

N-Channel 600 V 62A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

Produttore:

MICROCHIP
ProduttorePart #:

APT60M75JVR
Scheda dati:

APT60M75JVR Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Additional Feature:

HIGH VOLTAGE
Avalanche Energy Rating (Eas):

3600 mJ
EDA/CAD Modelli:

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APT60M75JVR Descrizione generale

Power MOS 7®, on the other hand, addresses conduction and switching losses with a focus on lowering RDS(ON) and Qg. By combining reduced conduction and switching losses with fast switching speeds, this family of enhancement mode power MOSFETs provides a reliable and energy-efficient solution for various high-voltage applications. With its low loss design, Power MOS 7® delivers optimal performance in scenarios where minimizing power dissipation is critical

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Additional Feature	HIGH VOLTAGE	Avalanche Energy Rating (Eas)	3600 mJ
Case Connection	ISOLATED	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	600 V	Drain Current-Max (ID)	62 A
Drain-source On Resistance-Max	0.075 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PUFM-X4	Number of Elements	1
Number of Terminals	4	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	248 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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