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AFGHL40T120RLD +BOM

IGBT - Automotive Grade 1200 V 40 A

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

AFGHL40T120RLD
Scheda dati:

AFGHL40T120RLD Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelli:

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AFGHL40T120RLD Descrizione generale

When it comes to hard and soft switching topology, the AFGHL40T120RLD IGBT truly shines, providing the perfect balance between power and efficiency for automotive applications. Its robust design and advanced features make it a preferred choice for engineers and designers looking to maximize performance while keeping costs in check. With its superior capabilities and reliable operation, this transistor is a must-have component for any automotive project

Caratteristiche principali

AEC Q101 qualified
Tight Parameter distribution
Low Vcesat
Low Eoff & Eon

Applicazione

HEV-EV PTC heater
HEV-EV e-compressor
HEV-EV on board charger

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.75 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	48 A
Pd - Power Dissipation	529 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..