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2SK2975 +BOM

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC PACKAGE-3

Produttore:

MITSUBISHI ELECTRIC CORP
ProduttorePart #:

2SK2975
Scheda dati:

2SK2975 Scheda dati (PDF)
Channel Type:

N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss):

100V
Current - Continuous Drain (Id):

1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:

1.3 Ohm @ 300mA, 10V
EDA/CAD Modelli:

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2SK2975 Descrizione generale

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC PACKAGE-3

Caratteristiche principali

High power gain:Gpe³8.4dB
@VDD=9.6V,f=450MHz,Pin=30dBm
High efficiency:55% typ.
Source case type seramic package
(connected internally to source)

Applicazione

Power amplifiers
Audio equipment
Switching circuits
Power supplies
RF applications

Specifiche

Product Name	2SK2975	Product Type	MOSFET
Channel Type	N-Channel	Drain-to-Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id)	1.3A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V	Power - Max	900mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C	Mounting Type	Through Hole

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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Garanzia

Prodotto 365 giorni

Qualità garantita

Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.

Valutazioni e recensioni

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J**y 02/28/2024

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P**n 02/20/2024

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N**n 04/25/2023

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T**e 10/03/2022

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