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Vedi Specifiche Tecniche

2SK1669 +BOM

Silicon-based power transistor with fast switching time

Produttore:

Renesas
ProduttorePart #:

2SK1669
Scheda dati:

2SK1669 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

2
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

DRAIN
EDA/CAD Modelli:

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2SK1669 Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

Caratteristiche principali

Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
Built-in fast recovery diode (trr = 90 ns)
Suitable for motor control, switching regulator and DC – DC converter

Specifiche

Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	2
ECCN Code	EAR99	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	250 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	30 A	Drain Current-Max (ID)	30 A
Drain-source On Resistance-Max	0.095 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	125 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	120 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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