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2SK1489(Q) +BOM

2SK1489(Q) is a N-Channel MOSFET with a maximum voltage of 1000V and a maximum current of 12A in TO-3PL package

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

2SK1489(Q)
Scheda dati:

2SK1489(Q) Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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2SK1489(Q) Descrizione generale

Operating at a maximum power dissipation of 200W, the 2SK1489(Q) offers high performance in a compact package. With a lead spacing of 5.45mm and a single transistor design, this MOSFET is easy to integrate into your existing circuitry. The TO-3P case style provides robust protection for the internal components, ensuring long-term reliability even in demanding environments. Whether you're building a new electronics project or replacing an old transistor, the 2SK1489(Q) delivers the voltage, current, and power ratings you need for success

Caratteristiche principali

Super-fast response time
Low power consumption and heat
High reliability and durability

Applicazione

Compact size, high power
Efficient signal processing

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1 kV
Id - Continuous Drain Current	12 A	Rds On - Drain-Source Resistance	1 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	200 W
Channel Mode	Enhancement	Series	2SK1489
Configuration	Single	Fall Time	150 ns
Height	26 mm	Length	20 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	100 ns
Factory Pack Quantity	25	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Width	5 mm
Unit Weight	0.245577 oz

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