Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

2SJ356-AZ +BOM

Support is limited to customers who have already adopted these products.

Produttore:

RENESAS
ProduttorePart #:

2SJ356-AZ
Scheda dati:

2SJ356-AZ Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

ESD PROTECTED
Case Connection:

DRAIN

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

2SJ356-AZ Descrizione generale

Support is limited to customers who have already adopted these products.

Specifiche

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	ESD PROTECTED
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V	Drain Current-Max (ID)	2 A
Drain-source On Resistance-Max	0.95 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSSO-F3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	4 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..