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2SB1351 +BOM

The product labeled 2SB1351 is characterized by its Darlington PNP transistor configuration

2SB1351 Descrizione generale

The 2SB1351 PNP silicon transistor is a robust and dependable component that delivers consistent performance in a range of electronic applications. With its high collector current (IC) rating of 2A, collector-emitter voltage (VCEO) rating of 50V, and power dissipation (Ptot) of 20W, this transistor is well-equipped to handle demanding tasks. Its transition frequency (fT) of 30MHz also makes it suitable for high-frequency applications, further enhancing its versatility

Caratteristiche principali

  • High DC current gain (Darlington)

Applicazione

  • Relay driver
  • Solenoid driver
  • Motor driver

Specifiche

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors Series -
Transistor Type PNP - Darlington Current - Collector (Ic) (Max) 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 10A, 4V
Power - Max 30 W Frequency - Transition 130MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole

Politiche di servizio e altro

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Valutazioni e recensioni

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C
C**n 08/12/2023

Items as described. Fast shipping.

11
L
L**n 08/10/2023

Unoriginal Rds-1, 4 ohm.

1
P
P**y 09/01/2020

Item work, packed goodly, seller do not advise

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Recensioni

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