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ZXT12N50DXTA +BOM

MO-A package type with exceptional thermal managemen

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZXT12N50DXTA
Scheda dati:

ZXT12N50DXTA Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V
EDA/CAD Modelli:

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ZXT12N50DXTA Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 3A 132MHz 1.04W Surface Mount 8-MSOP

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7.5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	135 mV
Maximum DC Collector Current	3 A	Pd - Power Dissipation	870 mW
Gain Bandwidth Product fT	132 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	ZXT12
Continuous Collector Current	3 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 3 A, 2 V, 50 at 5 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max	250 at 10 mA, 2 V	Height	0.95 mm
Length	3.1 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.1 mm
Unit Weight	0.004938 oz

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