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Vedi Specifiche Tecniche

X28C256P-25 +BOM

Parallel CMOS EEPROM capable of storing 32 kilobits of data

Produttore:

XICOR
ProduttorePart #:

X28C256P-25
Scheda dati:

X28C256P-25 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Access Time-Max:

250 ns
Additional Feature:

PAGE WRITE
Command User Interface:

NO
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

Access Time: 200ns
Simple Byte and Page Write
— Single 5V Supply
—No External High Voltages or VPP Control
Circuits
— Self-Timed
—No Erase Before Write
—No Complex Programming Algorithms
—No Overerase Problem
Low Power CMOS:
—Active: 60mA
—Standby: 200µA
Software Data Protection
— Protects Data Against System Level Inadvertent Writes
High Speed Page Write Capability
Highly Reliable Direct Write™ Cell
— Endurance: 100,000 Write Cycles
— Data Retention: 100 Years
Early End of Write Detection
— DATA Polling
—Toggle Bit Polling

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
Access Time-Max	250 ns	Additional Feature	PAGE WRITE
Command User Interface	NO	Data Polling	YES
Endurance	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 Code	R-PDIP-T28
JESD-609 Code	e0	Length	36.45 mm
Memory Density	262144 bit	Memory IC Type	EEPROM
Memory Width	8	Number of Functions	1
Number of Terminals	28	Number of Words	32768 words
Number of Words Code	32000	Operating Mode	ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	70 °C	Operating Temperature-Min
Organization	32KX8	Output Characteristics	3-STATE
Page Size	64 words	Parallel/Serial	PARALLEL
Programming Voltage	5 V	Qualification Status	Not Qualified
Seated Height-Max	4.82 mm	Standby Current-Max	0.0005 A
Supply Current-Max	0.06 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	5.5 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	4.5 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	5 V
Surface Mount	NO	Technology	CMOS
Temperature Grade	COMMERCIAL	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Pitch	2.54 mm
Terminal Position	DUAL	Toggle Bit	YES
Width	15.24 mm	Write Cycle Time-Max (tWC)	10 ms

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