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W989D6DBGX6I +BOM

High-speed synchronous DRAM module boasting s cycle time, M x -bit bandwidth, and low-power CMOS desig

Produttore:

WINBOND ELECTRONICS CORP
ProduttorePart #:

W989D6DBGX6I
Scheda dati:

W989D6DBGX6I Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

W989D6DBGX6I Descrizione generale

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mbit Parallel 166 MHz 5 ns 54-VFBGA (8x9)

Caratteristiche principali

2.7V − 3.6V power supply
1048576 words × 4 banks × 16 bits organization
Self refresh current: Standard and low power
CAS latency: 2 and 3
Burst Length: 1, 2, 4, 8, and full page
Sequential and Interleave burst
Burst read, single write operation
Byte data controlled by DQM
Power-down Mode
Auto-precharge and controlled precharge
4K refresh cycles/ 64 mS
Interface: LVTTL
Packaged in BGA 60 balls pitch = 0.65 mm, using PB free materials

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8542.32.00.28	Access Mode	FOUR BANK PAGE BURST
Access Time-Max	5 ns	Additional Feature	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 Code	R-PBGA-B54	Length	9 mm
Memory Density	536870912 bit	Memory IC Type	SYNCHRONOUS DRAM
Memory Width	16	Number of Functions	1
Number of Ports	1	Number of Terminals	54
Number of Words	33554432 words	Number of Words Code	32000000
Operating Mode	SYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min	-40 °C	Organization	32MX16
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Seated Height-Max	1.025 mm
Self Refresh	YES	Supply Voltage-Max (Vsup)	1.95 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Width	8 mm

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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