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VS-25TTS12S-M3 +BOM

Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-263AB

Produttore:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ProduttorePart #:

VS-25TTS12S-M3
Scheda dati:

VS-25TTS12S-M3 Scheda dati (PDF)
Voltage - Off State:

1.2 kV
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max):

2 V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max):

45 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max):

1.25 V
EDA/CAD Modelli:

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VS-25TTS12S-M3 Descrizione generale

SCR 1.2 kV 25 A Standard Recovery Surface Mount TO-263AB (D2PAK)

Caratteristiche principali

Compliant with IEC 62474:2018, Ed.1.0
Packing as per IPC J-STD-012A
Solder joints meet IPC-A-610D Class II
Inspection criteria as per ISO 1724:1996

Applicazione

Fast switching speeds
Low electromagnetic interference
Long operational lifespan

Specifiche

Voltage - Off State	1.2 kV	Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	2 V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	45 mA	Voltage - On State (Vtm) (Max)	1.25 V
Current - On State (It (AV)) (Max)	16 A	Current - On State (It (RMS)) (Max)	25 A
Current - Hold (Ih) (Max)	150 mA	Current - Off State (Max)	10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	350A @ 50Hz	SCR Type	Standard Recovery
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	25TTS12

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