Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro Privacy Policy.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

TPN11006PL

Trans MOSFET N-CH Si 60V 26A 8-Pin TSON Advance

Produttore:

Toshiba Semiconductor
ProduttorePart #:

TPN11006PL
Scheda dati:

TPN11006PL Scheda dati (PDF)
Pacchetto/custodia:

TSONAdvance
Ciclo vitale:

Active
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per TPN11006PL

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

Caratteristiche principali

Characteristics
Symbol
Condition
Value
Unit
Gate threshold voltage (Max)
V
th
2.5
V
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
18.1
mΩ
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
11.4
mΩ
Input capacitance (Typ.)
C
iss
1250
pF
Total gate charge (Typ.)
Q
g
V
GS
17
nC

Specifiche

Product Category:

Toshiba

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..