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Vedi Specifiche Tecniche

TLV521DCKR +BOM

Compact, single device for a wide range of applicatio

Produttore:

TI
ProduttorePart #:

TLV521DCKR
Scheda dati:

TLV521DCKR Scheda dati (PDF)
Number Of Channels:

1
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V):

5.5
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V):

1.7
Rail-to-rail:

In, Out
EDA/CAD Modelli:

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TLV521DCKR Descrizione generale

One of the standout features of the TLV521 is its built-in EMI protection, which reduces susceptibility to interference from external sources like mobile phones and RFID readers. This ensures a stable and reliable operation in various environments, making it a versatile choice for a wide range of applications

Caratteristiche principali

Fast Power-Up and Down Times
Intelligent Error Correction Mechanism
Real-Time Monitoring and Diagnostics

Ultra-Low Latency
Precise Fault Detection
Enhanced System Reliability

Specifiche

Number of channels	1	Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)	5.5
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)	1.7	Rail-to-rail	In, Out
GBW (typ) (MHz)	0.006	Slew rate (typ) (V/µs)	0.0029
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)	3	Iq per channel (typ) (mA)	0.00035
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)	300	Rating	Catalog
Operating temperature range (°C)	-40 to 125	Offset drift (typ) (µV/°C)	1.5
Features	Cost Optimized, EMI Hardened	CMRR (typ) (dB)	100
Iout (typ) (A)	0.012	Architecture	CMOS
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)	0.0005	Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)	0.00035
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)	0.002	Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)	-0.003

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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