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TLV2376IDR +BOM

Dual 5.5-MHz, 100-µV offset, 8-nV/√Hz noise, 815-µA power, precision operational amplifiers

Produttore:

TI
ProduttorePart #:

TLV2376IDR
Scheda dati:

TLV2376IDR Scheda dati (PDF)
Number Of Channels:

2
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V):

5.5
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V):

2.2
Vos (offset Voltage At 25°C) (max) (mV):

0.1
EDA/CAD Modelli:

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TLV2376IDR Descrizione generale

Despite its high performance, the TLV2376IDR remains a power-efficient solution with a quiescent current of only 180μA per channel. This makes it suitable for portable devices where battery life is a priority. The compact 8-pin SOIC package further enhances its versatility, allowing for space-constrained designs without compromising on functionality

Caratteristiche principali

High precision
Low noise level
Small footprint

Specifiche

Number of channels	2	Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)	5.5
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)	2.2	Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)	0.1
GBW (typ) (MHz)	5.5	Features	Cost Optimized
Slew rate (typ) (V/µs)	2	Rail-to-rail	In, Out
Offset drift (typ) (µV/°C)	1	Iq per channel (typ) (mA)	0.815
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)	8	CMRR (typ) (dB)	88
Rating	Catalog	Operating temperature range (°C)	-40 to 125
Iout (typ) (A)	0.03	Architecture	CMOS
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)	-0.1	Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)	0.1
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)	0.01	Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)	-0.01
THD + N at 1 kHz (typ) (%)	0.0005

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