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TLV2316IDGKR +BOM

CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-VSSOP

TLV2316IDGKR Descrizione generale

One of the standout features of the TLV2316IDGKR is its robust design, which includes integrated RFI/EMI rejection filters and high ESD protection of 4-kV HBM. This makes it incredibly user-friendly and ensures stable operation even in challenging conditions. Additionally, the device is optimized for low-voltage operations, extending from 1.8 V to 5.5 V, making it ideal for a wide range of voltage requirements

TI inventario

Caratteristiche principali

  • High Speed and Low Power
  • Suitable for Digital Systems
  • Maintenance-Free Design
  • Compact Package Size
TI Stock originale
TI inventario

Specifiche

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.8 Rail-to-rail In, Out
GBW (typ) (MHz) 10 Slew rate (typ) (V/µs) 6
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 0.4
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 12 Rating Catalog
Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2
Features Cost Optimized, EMI Hardened CMRR (typ) (dB) 90
Iout (typ) (A) 0.05 Architecture CMOS
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.2
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.005 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.005

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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