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TLE2082IDR +BOM

Dual, 38-V, 10-MHz, 40-V/μs slew rate, JFET-input operational amplifier

Produttore:

TI
ProduttorePart #:

TLE2082IDR
Scheda dati:

TLE2082IDR Scheda dati (PDF)
Number Of Channels:

2
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V):

38
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V):

4.5
Rail-to-rail:

In to V+
EDA/CAD Modelli:

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TLE2082IDR Descrizione generale

The TLE2082IDR is a highly advanced operational amplifier that surpasses its predecessors in both bandwidth and slew rate. With wider supply-voltage rails and precision-grade offset voltage trimming, this amplifier is perfect for dc-coupled applications requiring utmost accuracy. The BiFET design provides high input impedance while maintaining strong output drive, making it ideal for interfacing with high-impedance sensors and low-level AC signals. However, careful consideration must be given to input and output voltage limits when operating from a single supply

Caratteristiche principali

Faster Sampling Rates for Data Acquisition
Improved Signal-to-Noise Ratio for Audio Applications

Specifiche

Number of channels	2	Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)	38
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)	4.5	Rail-to-rail	In to V+
GBW (typ) (MHz)	10	Slew rate (typ) (V/µs)	40
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)	6	Iq per channel (typ) (mA)	1.45
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)	12	Rating	Catalog
Operating temperature range (°C)	-40 to 85, 0 to 70	Offset drift (typ) (µV/°C)	2.4
Input bias current (max) (pA)	175	CMRR (typ) (dB)	98
Iout (typ) (A)	0.03	Architecture	FET
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)	3.1	Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)	0
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)	0.8	Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)	-0.9

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