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TK20S06K3L +BOM

Trans MOSFET N-CH Si 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

Produttore:

Toshiba Semiconductor
ProduttorePart #:

TK20S06K3L
Scheda dati:

TK20S06K3L Scheda dati (PDF)
Series:

U-MOSIV
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
EDA/CAD Modelli:

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TK20S06K3L Descrizione generale

Application Scope:Automotive / Motor Drivers / DC-DC Converters / Switching Voltage Regulators
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅣ
Internal Connection:Single
AEC-Q101:Qualified
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:Japan

Caratteristiche principali

Assembly bases:3.0 V
Assembly bases:40 mΩ
Assembly bases:29 mΩ
Assembly bases:780 pF
Assembly bases:18 nC

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	U-MOSIV
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780 pF @ 10 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	38W (Tc)
Operating Temperature	175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	TK20S06

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